Infineon提供全面的柵極驅動器IC - EiceDRIVER?產(chǎn)品組合，優(yōu)化用于廣泛的應用和多種開關類型，如MOSFET、開爾文源極MOSFET和GaN HEMT。

Infineon CoolMOS C7 MOSFET設計用于記錄電平效率性能，與先前的CoolMOS系列和競品相比，在硬開關應用的整個負載范圍內都具有巨大的效率優(yōu)勢。C7 MOSFET是技術上的一大進步，不僅RDS(on)/封裝低，而且其開關損耗低，在整個負載范圍內提高了效率。C7 MOSFET優(yōu)化用于太陽能、服務器、電信和UPS等應用中的功率因數(shù)校正 (CCM PFC)、雙晶體管正激 (TTF) 和太陽能升壓等技術。

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Infineon CoolMOS C7 MOSFET詳情

Infineon CoolMOS C7 Gold (G7) MOSFET采用創(chuàng)新型無引線SMD TO (TOLL) 封裝（采用開爾文源極概念）。G7 MOSFET經(jīng)過改進的600V和650V CoolMOS G7技術、4引腳開爾文源極功能以及無引線TO封裝的更高熱性能相結合。這可為高達3kW的大電流硬開關拓撲（如功率因數(shù)校正(PFC)）提供SMD解決方案。對于600V CoolMOS G7，MOSFET可用于高端LLC等諧振電路。

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Infineon CoolMOS CFD7 MOSFET采用高壓超級結MOSFET技術，集成有快速體二極管。CFD7 MOSFET是服務器、電信和電動汽車充電站等大功率SMPS應用的諧振拓撲技術的理想選擇。CFD7 具有低柵極電荷 (Qg) 和改進的關斷行為，其反向恢復電荷 (Qrr) 比其他MOSFET低69%。CFD7具有市場上最短的反向恢復時間 (trr)。這些特性使得CoolMOS CFD7非常高效，在軟開關拓撲結構中具有出色的可靠性。應用包括LLC和ZVS相移全橋。此外，CoolMOS? CFD7得益于優(yōu)化的RDS(on)，可實現(xiàn)更高的功率密度。

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Infineon CoolMOS P7 MOSFET的性價比屬同類最佳，簡單易用，能夠應對各種應用的挑戰(zhàn)。700V和800V CoolMOS P7功率MOSFET開發(fā)用于反激式低功耗SMPS應用，包括適配器和充電器、照明、音頻SMPS、AUX和工業(yè)電源。600V CoolMOS P7功率MOSFET不僅設計用于小功率應用，而且還用于大功率SMPS應用，如太陽能逆變器、服務器、電信和電動汽車充電站。P7 MOSFET經(jīng)過徹底優(yōu)化，用于硬開關和軟開關拓撲結構。